RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3098
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link