RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2608
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link