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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2003
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
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