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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3143
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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