RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
45
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2190
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link