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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
3202
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
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