RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
28
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
20
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
3492
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link