RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
28
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
3430
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link