RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
81
En 65% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
81
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
1668
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link