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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2595
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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