RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
24.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
19.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
4300
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link