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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
1974
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
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Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
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