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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NJ-CG 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Nanya Technology NT8GC72B4NB1NJ-CG 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NJ-CG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NJ-CG 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NJ-CG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
8.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
1776
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NJ-CG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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