RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Teclast TLD416G26A30 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Teclast TLD416G26A30 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2719
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology H641GU67G1600G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link