RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2892
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link