RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2790
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link