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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
3550
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
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