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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
2601
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
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