RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Compara
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
49
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
2437
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link