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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Compara
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
49
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
2622
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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