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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
49
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
8.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
21.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
4006
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
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