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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Compara
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
49
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
3377
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
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