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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
49
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
3045
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
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