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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
2635
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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