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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
49
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
2825
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
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