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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Compara
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
3611
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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