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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB

Puntuación global
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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Puntuación global
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Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    32 left arrow 33
    En 3% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 8.0
    Valor medio en las pruebas
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11 left arrow 10.8
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    32 left arrow 33
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.8 left arrow 11.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 8.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2349 left arrow 2200

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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