Comparación de la memoria RAM Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Puntuación global

Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 17000

En 1.13% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

35 55

En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

10 9.4

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.9 7.3

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2185 2200

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns