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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs AMD R7S48G2400U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
74
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R7S48G2400U2S 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
74
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
1774
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
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