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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
63
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
63
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
1863
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
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