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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
49
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3447
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
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