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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
49
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2768
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
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Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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