RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
49
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3768
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link