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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
49
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3012
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
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