RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3432
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link