RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
49
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
47
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2640
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMX16GX3M4A1333C9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link