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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
71
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
71
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
1586
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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