RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
83
En 41% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
83
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
1663
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link