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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
49
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3352
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
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