RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3638
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link