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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
53
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
53
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2301
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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