RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2675
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link