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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3467
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
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