RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
49
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2592
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link