RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
49
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2969
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link