RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.2
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
49
En -53% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2017
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link