RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
57
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.2
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
57
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2170
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link