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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
49
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
43
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2794
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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