RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2575
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link