RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2548
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link